G-33B6型高精密光刻机

产品介绍：

设备概述

本设备广泛用于各大、中、小型企业、大专院校、科研单位，主要用于集成电路、半导体元器件、光电子器件、光学器件研制和生产,由于本机找平机构**，找平力小，使本机不仅适合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光, 这是一台双面对准单面曝光的光刻机,它不仅能完成普通光刻机的任何工作,同时还是一台检查双面对准精度的检查仪。

主要构成PLC控制系统、气动系统、真空系统、直联式真空泵、二级防震工作台和附件箱等组成。

曝光头及部件图

CCD显微系统|X、Y、Q对准工作台

1.适用范围广
适用于φ150mm以下厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光。

2.套刻精度高、速度快

采用版不动，片动的下置式三层导轨对准方式，使导轨自重和受力方向保持一致，自动消除间隙；承片台升降采用无间隙滚珠直进导轨、气动式Z轴升降机构和双簧片微分离机构，使本机片对版在分离接触时漂移特小，对准精度高，对准速度快，从而提高了版的复用率和产品的成品率。

4.可靠性高
采用PLC控制、进口（日本产）电磁阀和按钮、独特的气动系统、真空管路系统和经过精密机械制造工艺加工的零件，使本机运行具有非常高的可靠性且操作、维护、维修简便。

5. 特设功能
除标准承片台外，我公司还可以为用户定制专用承片台，来解决非圆形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题。

主要技术指标<span style="font-family:;" "="">

（1）采用高均匀性曝光头。

a. 采用350W直流球形汞灯；

b.出射光斑≤φ150mm；

c.光强≥5mw/cm2（i线365nm; h线405nm; g线453nm的组合紫外光）；

d.光的不均匀性：在φ100mm范围内≤±3%；

e.曝光时间采用0～999.9秒（日本OMRON生产）时间继电器控制。

f. 对准精度：±0.5μm

g.曝光分辨率：1μm

（2）  观察系统为上下各两个无级变倍、高分辨率单筒显微镜上装四个CCD摄像头通过视屏线连接计算机到19″高清液晶显视屏上。

（3）  掩模版尺寸： 7″×7″；

（4）  承片台尺寸：Φ6″；

（5）  基片厚度：≤5 mm；